重生后我只做正确选择第830章 芯片进展2

设计负责人脸上的自豪感褪去变得凝重起来。

他看向了工艺整合负责人和设计-工艺产品线总裁孟良凡。

冯庭波适时接话： “尘风总问到了核心。

设计只是蓝图制造才是将蓝图变为现实的关键。

下面就请工艺团队和孟总为我们揭示‘猎人’芯片在14nm FinFET平台上的真实情况。

” 工艺整合负责人深吸一口气站了起来。

他操作投影画面切换到了一张令人眼花缭乱的多维度图表：14nm FinFET工艺平台良率追踪图。

上面布满了各种颜色的曲线代表着不同批次的晶圆、不同的测试结构、在不同的关键工艺节点上的良率表现。

“姚总的问题非常直接我也直接回答。

”他的声音努力保持平静但能听出紧张。

“‘猎人’芯片是基于我们华兴EDA团队与海思共同开发的新一代PDK进行设计和仿真的。

其仿真模型大量参考了孟教授团队带来的理论模型和中芯国际产线的早期数据。

” 他指向图表的核心区域一条原本剧烈波动但近期逐渐趋于平稳的曲线： “这就是‘猎人’芯片核心计算模块的MPW试产良率趋势。

经过五轮艰苦的工艺迭代和设计优化其综合良率已从最初的令人绝望的31%提升并稳定在68.5%。

最近三个批次的波动范围已经控制在±2%以内。

” “68.5%？”姚尘风身体前倾手指停止了敲击语气中混合着惊讶和欣喜。

“如果我没记错上次季度汇报这个数字还在45%徘徊。

这个爬坡速度超出了我们内部的预期。

怎么做到的？” “是的姚总提升速度确实超预期。

”负责人语气肯定也有振奋。

“突破主要来自三个方面： 首先是孟总团队带来的FinFET三维鳍片形状和应力工程的精确调控模型优化了载流子迁移率显着降低了漏电流这是提升良率和能效的基础。

” “其次是在后段互连环节我们和中芯国际的伙伴共同攻关采用了新的铜互连阻挡层材料和更低介电常数的低k介质有效降低了RC延迟和整体芯片功耗。

” “而第三点至关重要”他提高了音量目光转向陈默。

“陈总领导的EDA团队提供了更新一代、精度更高的PDK和仿真模型。

特别是其中的化学机械抛光（CMP）建模和面向制造的设计（DFM）规则检查让我们在设计阶段就预先规避了超过30%的潜在制造热点（Hotspot）和天线效应问题。

这大大减少了流片后的反复次数缩短了良率爬升周期。

可以说是设计和工具的进步反向拉动了制造工艺的成熟。

” 孟良凡这时推了推眼镜严谨底补充道： “庭波总、陈总、姚总68.5%的良率对于一条完全依靠我们自身技术力量摸索、且受到诸多外部限制的14nm FinFET工艺线而言是一个里程碑它证明了技术路线的可行性。

这标志着我们已初步掌握了中端性能芯片的自主可控设计制造能力。

” 他话锋一转依旧保持着客观： “但我们必须清醒这与台积电7nm成熟制程超过95%的良率相比差距巨大。

这意味着我们的成本劣势短期内难以消除可能高出30%-50%。

同时受限于当前工艺水平芯片的峰值性能和高频下的功耗与国际最先进水平存在一代左右的差距。

” 冯庭波接过话头目光灼灼地看向姚尘风语气沉稳而决断： “尘风总差距存在但意义更大。

这意味着我们的手中有了一张牌。

我正式提议启动‘猎人计划’。

下一代荣耀Play系列、荣耀X系列以及部分平板和物联网产品的核心芯片必须有一部分型号切换到这个自研平台。

初期可能会牺牲一部分利润和极致的性能体验但我们必须迈出这一步在实践中打磨流程积累数据建立我们对自主芯片的信心体系和供应链。

” 姚尘风没有立刻回答他再次低头手指在平板电脑上飞快地运算着。

他模拟着各种成本、定价、市场和风险场景。

会议室里鸦雀无声只有他指尖敲击屏幕的细微声响。

几分钟后他抬起头最终拍板： “同意！风险可控战略价值远超短期财务表现。

海思尽快交付最终GDSII终端研发、测试和供应链这边我会亲自盯立即启动‘猎人计划’。

但我有三个条件： 第一海思和制造端必须立军令状保证芯片的绝对稳定性和可靠性中端机用户规模大出大规模质量问题就是品牌灾难。

第二财务部牵头核算成本初期亏损由集团战略专项基金覆盖但必须给出明确的良率提升和成本下降路径图我要在一年内看到成本逼近可接受区间。

第三” 他顿了顿语气加重目光扫过冯庭波和陈默。

“这仅仅是‘备胎’和练兵场我们最终的目标是旗舰机。

高端的N+1工艺进度绝不能因为14nm FinFET的进展而有丝毫松懈。

我要的是能用在下一代Mate和P系列上能正面抗衡高通和苹果的芯片。

N+1的进展现在到底是什么情况？” 姚尘风的追问让刚刚稍有缓和的气氛再次激起千层浪。

所有人的心都提了起来目光聚焦在那位工艺整合负责人身上。

负责人的表情瞬间变得更加严峻他甚至下意识地深吸了一口气才操作电脑。

投影画面切换到一个更加复杂、数据点更加稀疏且波动剧烈的图表：N+1工艺良率追踪图。

那如同癫痫患者心跳般的曲线让所有懂行的人心里都是一沉。

“姚总、冯总N+1工艺我们面临的是一堵技术界的‘叹息之壁’。

”他的声音干涩。

“它的目标是实现比14nm更高的晶体管密度和能效比这要求我们在晶体管架构、新材料、新集成技术上都取得突破。

目前我们在三个核心领域遇到了巨大的、近乎原理性的困难。

” 他逐一指出图表上的几个致命低谷： 喜欢重生后我只做正确选择请大家收藏：()重生后我只做正确选择20小说网更新速度全网最快。

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